1925
PATENTE DE LILIENFELD
El físico Julius Edgar Lilienfeld registró la primera patente teórica de un transistor de efecto de campo, sentando las bases conceptuales.
1947
EL PRIMER PROTOTIPO
John Bardeen y Walter Brattain construyeron el primer transistor de contacto de punto en los Laboratorios Bell bajo la dirección de William Shockley.
1948
PRESENTACIÓN PÚBLICA
Bell Labs anunció oficialmente el invento del transistor al mundo como una alternativa eficiente y pequeña a las válvulas de vacío.
1951
TRANSISTOR DE UNIÓN
William Shockley perfeccionó la tecnología al desarrollar el transistor de unión bipolar, un diseño mucho más estable y fácil de fabricar en masa.
1954
TRANSISTOR DE SILICIO
Gordon Teal de Texas Instruments produjo el primer transistor de silicio, permitiendo que los dispositivos operaran de forma fiable a temperaturas elevadas.
1956
PREMIO NOBEL
Bardeen, Brattain y Shockley recibieron el Premio Nobel de Física por su investigación en semiconductores y el descubrimiento del efecto transistor.
1959
EL MOSFET
Mohamed Atalla y Dawon Kahng inventaron el transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor, componente esencial para la microelectrónica moderna.
1971
EL MICROPROCESADOR
El lanzamiento del chip Intel 4004 marcó la culminación tecnológica al integrar miles de transistores en un único componente de silicio.